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H0.5Zr0.5O₂（HZO）铁电薄膜
- 产品概述：
- 采用磁控溅射工艺在硅衬底上沉积钨（W）底电极，并通过原子层沉积（ALD）技术制备了厚度为6-15 nm的H0.5Zr0.5O₂（HZO）铁电薄膜，最终构建出W/HZO/W叠层结构的铁电电容器。该器件不仅展现出良好的铁电与介电性能，适用于铁电存储、介电调谐等基础科学研究，还在压电传感、微机电系统（MEMS）等前沿领域具有重要的应用潜力。
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